张炳森
,
于晓明
,
孙霞光
,
李茂林
,
张彩碚
,
祁阳
金属学报
利用硅胶吸附--解吸臭氧原理自制了臭氧浓缩装置,
通过此装置制备的高浓度臭氧作为分子束外延制备Bi系氧化物薄膜的氧化源.
在臭氧浓缩装置中, 硅胶温度保持在-85℃左右, 工作6 h,
可获得浓度(摩尔分数)高于95%的臭氧.
当臭氧浓缩装置中压强保持在1.3×10 3 Pa, 该臭氧浓度可维持5
h以上. X射线衍射结果表明,
制备的高浓度臭氧在高真空条件下可将Cu氧化成CuO,
并以此为氧化源利用分子束外延在MgO(100)衬底上制备了较高质量的
Bi2Sr2CuO6+x和Bi2Sr2CaCu2O8+x薄膜.
关键词:
臭氧
,
concentrating apparatus
,
Bi-based oxide thin films
,
molecular beam epitaxy（MBE）
